Bilim ve teknoloji

Samsung'dan Yapay Zeka Belleklerinde Dev Hamle: Üretim Kapasitesi Katlanıyor

Yapay zeka hızlandırıcılarına ve devasa veri merkezlerine yönelik patlayan talep, yarı iletken sektöründeki bellek üretimini adeta yeniden şekillendiriyor. Güney Koreli teknoloji devi Samsung, bu muazzam ihtiyacı karşılayabilmek adına yeni nesil yüksek bant genişlikli bellek modelleri olan HBM4 ve HBM4E'nin üretim kapasitesini iki bin yirmi yedi yılına kadar iki buçuk kat artırma kararı aldı.

Abone Ol

Cam Taşıyıcı Talebinde Büyük Sıçrama HBM üretiminde kullanılan DRAM katmanlarının inceltilmesi, delinmesi ve paketlenmesi gibi hassas işlemler sırasında bükülme veya kırılmaları önlemek için geçici cam taşıyıcılar kullanılıyor. Samsung'un bu süreçte kullandığı aylık cam taşıyıcı temizleme ve tedarik hacmi iki bin yirmi beş yılında on bin adet seviyesindeyken, iki bin yirmi altı yılında yirmi bin adede ulaştı. Şirketin tedarik zinciri planlamalarına göre bu hacim, iki bin yirmi yedi yılı itibarıyla tam iki buçuk kat artarak aylık elli bin adede fırlayacak. Cam panellerin tekrar kullanılabilir yapısı göz önüne alındığında, siparişlerdeki bu devasa artış montaj hattındaki yüksek katmanlı işleme hacminin ne kadar büyüyeceğini açıkça ortaya koyuyor.

Üretim Pastasında Yeni Nesil Modellerin Hakimiyeti Samsung'un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia'nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.

Dört Nanometre Mimari ve Gelişmiş Paketleme Teknolojisi HBM4 mimarisinde bellek yığınının en altında yer alan ve sistemin mantıksal denetimini sağlayan taban kalıbı, performansta son derece kritik bir rol oynuyor. Samsung, HBM4 taban kalıbı üretimi için kendi yarı iletken tesislerindeki dört nanometre üretim kapasitesinin yarısından fazlasını bu işe tahsis etti. Gelecekteki bellek tasarımları için iki nanometre üretim süreçlerini de devreye sokmayı planlayan şirket; on iki katmanlı kırk sekiz gigabayt konfigürasyonda, yığın başına saniyede üç virgül altı terabayt bant genişliğine ve pin başına on altı gigabit aktarım hızına ulaşan HBM4E örneklerini müşterilerine ulaştırmaya başladı. Teknoloji devi, bu agresif hamlesiyle bellek pazarındaki payını hızla artırmayı ve liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor.